onsemi(安森美)
SOIC-8
¥9.35
494
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 22V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥9.35
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥9.3808
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
ADI(亚德诺)
SOT-23-6
¥8.9059
5000
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 12.6V
TI(德州仪器)
SOT-23-5
¥9.52
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 14V
MICROCHIP(美国微芯)
TDFN-8-EP(2x3)
¥9.1056
0
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
DIODES(美台)
SO-8
¥9.623
23
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
MSOP-8
¥9.72
8
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
Digi-Key 停止提供
Infineon(英飞凌)
DIP-14
¥9.7746
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
TO-220-5
¥9.202
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
RENESAS(瑞萨)
SOIC-8
¥9.9706
1213
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 14V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥10.062
20
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.07
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 14V
最后售卖
Infineon(英飞凌)
DIP-14
¥10.0891
1
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
MSOP-8-EP
¥9.89
5
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥15.55
10
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥10.24
78
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,SiC MOSFET,电压 - 供电:20V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥10.24
4
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
Infineon(英飞凌)
TSSOP-28
¥10.2541
48
驱动配置:半桥,通道类型:3 相,驱动器数:6,栅极类型:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:13V ~ 17.5V
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥10.2799
46
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4V ~ 15V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOP-14
¥10.49
190
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥10.5
2765
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
WSON-10-EP(4x4)
¥15.35
94
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9V ~ 14V
DIODES(美台)
SO-8
¥10.62
1
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-14
¥10.6353
8539
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
ADI(亚德诺)
SOIC-8
¥10.73
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:9.5V ~ 18V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-16-300mil
¥10.79
10
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥8.4958
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
停产
Infineon(英飞凌)
PDIP-8
¥10.78
43
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
不适用于新设计
Infineon(英飞凌)
SOIC-8
¥10.78
9
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:5V ~ 20V
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥11.3
98
输出配置:半桥(2),应用:DC 电机,通用,接口:逻辑,负载类型:容性和阻性,技术:功率 MOSFET
onsemi(安森美)
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥17.71
46
技术:容性耦合,通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):100kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):80ns,80ns
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥14.37
25
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
VQFN-40(6x6)
¥11.2133
5
电压 - 供电:4.9V ~ 37V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ),安装类型:表面贴装型,封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥11.286
14
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:7V ~ 18V
最后售卖
onsemi(安森美)
SOP-8
¥10.44
40
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
TI(德州仪器)
HTSSOP-14-EP
¥11.3467
0
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.25V ~ 15V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8
¥11.3
198
驱动配置:低端,通道类型:单路,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
TI(德州仪器)
SO-8
¥11.5467
0
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:8V ~ 17V
SKYWORKS(思佳讯)
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
¥11.088
7697
技术:容性耦合,通道数:2,电压 - 隔离:5000Vrms,共模瞬变抗扰度(最小值):20kV/µs,传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):60ns,60ns
TI(德州仪器)
SOIC-8
¥11.832
18
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:3.5V ~ 14V
Infineon(英飞凌)
DSO-8
¥10.5
2560
驱动配置:高压侧或低压侧,通道类型:同步,驱动器数:1,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥6.664
181
技术:磁耦合,通道数:1,上升/下降时间(典型值):9ns,6ns,电压 - 输出供电:13V ~ 18V,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥11.8048
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
DIODES(美台)
SO-8
¥12.04
0
驱动配置:半桥,通道类型:同步,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
Infineon(英飞凌)
SOIC-14
¥7.8
5025
驱动配置:半桥,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET,电压 - 供电:10V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥12.11
22
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
SOIC-8-EP
¥12.1133
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 20V
MICROCHIP(美国微芯)
PDIP-8
¥12.1473
0
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V
MICROCHIP(美国微芯)
MSOP-8
¥12.15
8
驱动配置:低端,通道类型:独立式,驱动器数:2,栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET,电压 - 供电:4.5V ~ 18V