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描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

BRD1260C-TL

厂牌: Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

封装: INSOP

手册:

市场价: ￥8.918

库存量: 0

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：DC 电机，通用，接口：模拟，逻辑，PWM，负载类型：容性和阻性，技术：功率 MOSFET

停产

NCP5369MNR2G

厂牌: onsemi(安森美)

封装: QFN-40(6x6)

手册:

市场价: ￥8.5428

库存量: 0

热度:

描述: 输出配置：半桥，应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，技术：功率 MOSFET

IXDF602SIATR

厂牌: Littelfuse(美国力特)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥8.81

库存量: 97

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V

IXDD604SIA

厂牌: Littelfuse(美国力特)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥9.146

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V

IXDI609SITR

厂牌: Littelfuse(美国力特)

封装: SOIC-8-EP

手册:

市场价: ￥9.2555

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 35V

ISL2111ARTZ-T

厂牌: RENESAS(瑞萨)

封装: WSON-10-EP(4x4)

手册:

市场价: ￥8.6412

库存量: 10016

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V

LM5111-2MYX/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: HVSSOP-8

手册:

市场价: ￥8.96

库存量: 16

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V

DRV8705SQRHBRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VQFN-32(5x5)

手册:

市场价: ￥11.36

库存量: 91

热度:

描述: 电机类型 - 步进：双极性，电机类型 - AC，DC：有刷直流，功能：驱动器 - 全集成，控制和功率级，输出配置：前置驱动器 - 半桥（2），接口：PWM，SPI

ISL6208IRZ

厂牌: RENESAS(瑞萨)

封装: QFN-8-EP(3x3)

手册:

市场价: ￥9.72

库存量: 22

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 5.5V

UCC27532QDBVRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOT-23-6

手册:

市场价: ￥9.6

库存量: 24

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 32V

TC4428AEUA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）

手册:

市场价: ￥11.5371

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

UCC27211DPRT

厂牌: TI(德州仪器)

封装: WSON-10-EP(4x4)

手册:

市场价: ￥9.9762

库存量: 1108

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

CSD95490Q5MC

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-12-EP(5x6)

手册:

市场价: ￥11.9717

库存量: 52

热度:

描述: 输出配置：半桥（3），应用：同步降压转换器，接口：PWM，负载类型：电感，电容性，技术：功率 MOSFET

MCP1416RT-E/OT

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOT-23-5

手册:

市场价: ￥10.08

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

LM5112Q1SDX/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: WSON-6-EP(3x3)

手册:

市场价: ￥10.78

库存量: 90

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：3.5V ~ 14V

TD352IDT

厂牌: ST(意法半导体)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥10.1643

库存量: 50

热度:

描述: 驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：12V ~ 26V

1EDI60H12AH

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: DSO-8

手册:

市场价: ￥14.1

库存量: 0

热度:

描述: 负载类型：IGBT，驱动通道数：1，灌电流(IOL)：9.4A，拉电流(IOH)：10A

TPS2813DR

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥11.25

库存量: 60

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 14V

LM5107SD/NOPB

厂牌: TI(德州仪器)

封装: WSON-8-EP(4x4)

手册:

市场价: ￥10.24

库存量: 88

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 14V

HIP2100IBZ

厂牌: RENESAS(瑞萨)

封装: SOIC-8-EP

手册:

市场价: ￥11.03

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：9V ~ 14V

UCC27201DRMT

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-8(4x4)

手册:

市场价: ￥11.11

库存量: 12

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

PM8834MTR

厂牌: ST(意法半导体)

封装: MSOP-8-EP

手册:

市场价: ￥11.5467

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：5V ~ 18V

TLE92108232QXXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 48-VFQFN 裸露焊盘

手册:

市场价: ￥11.556

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：6V ~ 28V

TC4429EOA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

手册:

市场价: ￥13.45

库存量: 75

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

TC4428COA713

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥13.74

库存量: 28

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

FAN7085MX-GF085

厂牌: onsemi(安森美)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥11.31

库存量: 26

热度:

描述: 驱动配置：高端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V

UCC27425QDRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥11.44

库存量: 89

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V

2ED21824S06JXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-14

手册:

市场价: ￥19.332

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

TC4426AEUA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: MSOP-8

手册:

市场价: ￥11.8048

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

MIC4426YMM-TR

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: MSOP-8

手册:

市场价: ￥15.79

库存量: 15

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

2EDN8533FXTMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.12

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V

TC4420COA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥12.152

库存量: 48

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

UCC27211DRMR

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-8-EP(4x4)

手册:

市场价: ￥12.25

库存量: 198

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

MCP14E5-E/P

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥12.586

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

2EDL8123GXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: VDSON-8

手册:

市场价: ￥12.7351

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：高压侧和低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

TC4429CPA

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥14.91

库存量: 45

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V

UCC27201ADRMT

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-8-EP(4x4)

手册:

市场价: ￥4.48

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

UCC27425P

厂牌: TI(德州仪器)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥13.206

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V

MIC4129YME

厂牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: SOIC-8-EP

手册:

市场价: ￥15.62

库存量: 282

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 20V

停产

IRS24531DSPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装:

手册:

市场价: ￥13.63

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：全桥，通道类型：同步，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.6V

1ED020I12F2XUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

手册:

市场价: ￥20.9

库存量: 21

热度:

供应商报价 5

描述: 技术：磁耦合，通道数：1，电压 - 隔离：4500Vrms，上升/下降时间（典型值）：30ns，50ns，电流 - 输出高、低：2A，2A

UCC27201ADRCT

厂牌: TI(德州仪器)

封装: VSON-9-EP(3x3)

手册:

市场价: ￥13.88

库存量: 160

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：8V ~ 17V

不适用于新设计

IRS2153DSPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥14

库存量: 0

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：同步，驱动器数：2，栅极类型：N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 15.4V

1EDI60I12AHXUMA1

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

手册:

市场价: ￥13.328

库存量: 230

热度:

供应商报价 5

描述: 技术：磁耦合，通道数：1，上升/下降时间（典型值）：10ns，9ns，电压 - 输出供电：13V ~ 35V，工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

UCC27322QDRQ1

厂牌: TI(德州仪器)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥11.97

库存量: 10

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4V ~ 15V

MC33153DG

厂牌: onsemi(安森美)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥9.9529

库存量: 7

热度:

描述: 驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：11V ~ 20V

最后售卖

IR2181PBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: PDIP-8

手册:

市场价: ￥14.607

库存量: 10

热度:

描述: 驱动配置：半桥，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

不适用于新设计

IR2112SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-16-300mil

手册:

市场价: ￥14.7

库存量: 101

热度:

供应商报价 5

描述: 驱动配置：高压侧或低压侧，通道类型：独立式，驱动器数：2，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：10V ~ 20V

不适用于新设计

IR2109SPBF

厂牌: Infineon(英飞凌)

封装: SOIC-8

手册:

市场价: ￥14.94

库存量: 10

热度: