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UCC27512DRSR
TI(德州仪器)
DFN-6-EP(3x3)
栅极驱动芯片
驱动配置：低端，通道类型：单路，驱动器数：1，栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET，电压 - 供电：4.5V ~ 18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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UCC27512DRSR
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Texas Instruments
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WSON-6
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1000+:￥1.6872 500+:￥1.748 100+:￥1.824 |
8261 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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UCC27512DRSR
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Texas Instruments
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WSON-6
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300+:￥2.1515 200+:￥2.2741 100+:￥2.4001 |
24800 |
18+
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3-5工作日
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云汉芯城
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UCC27512DRSR
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Texas Instruments
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WSON-6
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500+:￥2.7911 100+:￥2.8652 10+:￥2.964 |
5900 |
21+
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3-5工作日
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云汉芯城
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UCC27512DRSR
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德州仪器(TI)
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DFN-6-EP(3x3)
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100+:￥7.4533 30+:￥8.944 10+:￥11.18 1+:￥13.4159 |
0 |
-
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油柑网
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UCC27512DRSR
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TI(德州仪器)
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SON-6-EP(3x3)
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1000+:￥15.48 500+:￥18.33 200+:￥20.88 1+:￥25.5 |
0 |
19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 驱动配置 | 低端 |
| 通道类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 4.5V ~ 18V |
| 逻辑电压\xa0- VIL，VIH | 1V，2.4V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 4A，8A |
| 输入类型 | 反相，非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 8ns，7ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Richardson, US;Miho, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |