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类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：12000，耗散功率(Pd)：1.5W
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：60V，直流电流增益(hFE)：10000，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：8000，集电极电流(Ic)：5A
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：900 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：960mV @ 5mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.13V @ 20mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：140 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 10mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：300W，集电极电流(Ic)：50A
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：30V，直流电流增益(hFE)：20000，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.25V @ 8mA，800mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 2mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA