BSP52T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.825
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达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.3V @ 500µA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
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BSP52T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.825

1+:¥0.895

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BSP52T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥0.858

1+:¥0.9308

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BSP52T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥0.858

1+:¥0.9308

226

25+
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BSP52T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥0.9075

2000+:¥0.9797

1000+:¥1.0313

500+:¥1.4438

100+:¥2.0626

10+:¥3.197

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BSP52T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥0.9075

60+:¥0.9845

2307

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大值 800 mW
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA