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晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 100mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 20mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 30mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 100mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3.5V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 100mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 300mA，30A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：80V，直流电流增益(hFE)：500，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 400µA，200mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：32 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 400µA，200mA，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：160 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.2V @ 10mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
不适用于新设计
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
停产
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：900mV @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
停产
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
停产
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：350 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 20mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：116V，直流电流增益(hFE)：20000，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 8mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：12 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 100mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 6mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
停产
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.8V @ 40mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3.5V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
停产
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
停产
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA