FZT603TA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.03
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达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.13V @ 20mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
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2000+:¥1.2231

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Diodes(达尔)
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1000+:¥1.133

50+:¥1.232

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.13V @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 5000 @ 500mA,5V
功率 - 最大值 2 W
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA