MMBT6427LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.11752
117,520
达林顿管
晶体管类型:NPN - 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 500µA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):1µA
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MMBT6427LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11752

1+:¥0.13312

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2年内
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MMBT6427LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12009

15000

23+
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MMBT6427LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12009

51000

24+23+
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MMBT6427LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

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MMBT6427LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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230+:¥0.2205

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1.5V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20000 @ 100mA,5V
功率 - 最大值 225 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3