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MMBTA63LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
达林顿管
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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MMBTA63LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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600+:￥0.1338 200+:￥0.1587 20+:￥0.2035 |
140 |
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立创商城
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MMBTA63LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.323 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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MMBTA63LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.35 1+:￥0.375 |
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圣禾堂
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MMBTA63LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23-3
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150+:￥0.4903 50+:￥0.5884 5+:￥0.8825 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 100µA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 5000 @ 100mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 225 mW |
| 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |