咨询/建议
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 12mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
停产
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：100µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.8V @ 40mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 40mA，10A，电流 - 集电极截止（最大值）：2mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
类型：NPN，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：20000，耗散功率(Pd)：80W
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：120V，耗散功率(Pd)：300W，集电极电流(Ic)：50A
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：30V，直流电流增益(hFE)：20000，耗散功率(Pd)：350mW
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晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：30V，直流电流增益(hFE)：10000，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 2mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：5mA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 30mA，1.5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
停产
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：90 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 1mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：120 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 5mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.75W，集电极电流(Ic)：3A，集电极截止电流(Icbo)：200uA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 5mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：200nA
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 12mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 80mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2V @ 12mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：20µA
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 400mA，8A，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2A，5V
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：PNP - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.3V @ 500µA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
类型：PNP，集射极击穿电压(Vceo)：100V，直流电流增益(hFE)：1000，耗散功率(Pd)：2W
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：2.5V @ 6mA，3A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA