JSMSEMI(杰盛微)
插件
¥4.48
104
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):80mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥4.62
13
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):25 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.5 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):10.2 A
KY(韩景元)
TO-3P
¥4.74
1856
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):200mA,断态峰值电压(Vdrm):1.2kV
YFW(佑风微)
TO-3P
¥5.27
120
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥4.8243
1
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):22 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.18
45
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.01
17
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):3.8 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.355
4
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥5.39
19
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):10 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A,105A
JJW(捷捷微)
TO-3P-3
¥5.31
250
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥6.1046
0
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):140A,147A
ST(意法半导体)
TO-220-3 整包
¥6.23
50
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):45A,47A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥13.34
12
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥6.4
249
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥4.85
210
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):250A,260A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥7.38
25
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
¥7.75
4
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):20 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):168A,160A
Littelfuse(美国力特)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥13.81
10
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.9 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.6 A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3
¥8.05
0
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:400 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):100A @ 60Hz
VISHAY(威世)
TO-220-3 整包
¥9.7216
17
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):45 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.25 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):16 A
Littelfuse(美国力特)
TO-220-3 隔离片
¥10.96
0
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):5.1 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥12.07
3030
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):30 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):270A,284A
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥26.05
41
电压 - 断态:1.6 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):65 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):2.1 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):19 A
WeEn(瑞能)
TO-3P-3,SC-65-3
¥15.3067
9
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):400A,440A
ST(意法半导体)
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
¥23.48
92
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.55 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):50 A
KY(韩景元)
ITO-247
¥15.88
6
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):100mA,断态峰值电压(Vdrm):1.6kV
ST(意法半导体)
TOP-3
¥47.93
85
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:1.2 kV,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):350A,370A
VISHAY(威世)
TO-208AC,TO-65-3,接线柱
¥260.402
100
电压 - 断态:1.2 kV,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):100 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):50 A
CBI(创基)
SOT-23
¥0.065
10814
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-92
¥0.147
670
门极触发电压(Vgt):1.2V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):5mA
YAGEO(国巨)
SMB(DO-214AA)
¥0.19418
430
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.2118
25706
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):10mA,断态峰值电压(Vdrm):400V,门极触发电流(Igt):5mA
UTC(友顺)
SOT-23-3L
¥0.2188
20
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92-3
¥0.2239
72010
门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):30uA
MSKSEMI(美森科)
SOT-89
¥0.24973
520
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.261
101
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.35 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
JJW(捷捷微)
SOT-23-3L
¥0.2892
730
KY(韩景元)
TO-126
¥0.29
20685
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.7V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-92
¥0.2985
1500
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.50328
105
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-126
¥0.304976
40065
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):800mV,保持电流(Ih):5mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JJW(捷捷微)
TO-92-2.54mm
¥0.3087
1270
UTC(友顺)
TO-92-2.54mm
¥0.3139
30
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.3527
3635
ST(意法半导体)
3-SMB,扁引线
¥0.4224
0
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.4271
0
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.49629
360
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
KY(韩景元)
TO-220
¥0.6175
10475
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220-3
¥0.5341
25
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.52425
1975
断态峰值电压(Vdrm):800V,通态电流(It):4A