ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.5849
237
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.35 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥1.5416
65
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.35 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-252
¥0.5884
1670
保持电流(Ih):20mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA,通态峰值电压(Vtm):1.55V
WeEn(瑞能)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.5978
50
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-252
¥0.602225
1280
可控硅类型:1个单向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥0.56
2141
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.95 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥0.637
9822
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.7A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.6552
50
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态电流(It):4A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥0.6445
8710
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.7 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):500 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-220C
¥0.653565
230
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):30mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):10mA
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥0.7573
0
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.7729
1087
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥0.78
110362
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):2.5 A
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥0.8216
845
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):50mA
UMW(友台半导体)
TO-220A
¥0.8568
270
门极触发电压(Vgt):1.5V,保持电流(Ih):60mA,断态峰值电压(Vdrm):800V,门极触发电流(Igt):50mA
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.9425
5
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):800V,通态峰值电压(Vtm):1.55V
MSKSEMI(美森科)
TO-220
¥0.8388
225
断态峰值电压(Vdrm):600V,通态电流(It):8A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.9976
25
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):50mA,断态峰值电压(Vdrm):600V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220-3
¥0.981
35
通态电流(It):25A
ST(意法半导体)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
¥1.1764
1739
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):200 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):900 mV,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):7.3A,7.6A
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥1.0951
15
可控硅类型:1个双向可控硅,门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):25mA,断态峰值电压(Vdrm):800V
ST(意法半导体)
3-SMB,扁引线
¥1.1368
20278
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.45 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):800 mA
Littelfuse(美国力特)
TO-261-4,TO-261AA
¥2.46
505
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):800 mA,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):2 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A @ 60Hz
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220BK
¥1.4148
4
门极触发电压(Vgt):1.3V,保持电流(Ih):15mA,断态峰值电压(Vdrm):600V,门极触发电流(Igt):10mA
YFW(佑风微)
TO-220A
¥1.344
129
门极触发电压(Vgt):1.3V,断态峰值电压(Vdrm):600V,通态峰值电压(Vtm):1.5V,浪涌电流:160A
ST(意法半导体)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
¥1.66
65
双向可控硅类型:标准,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):15A,16A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥1.7618
5
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):12.5A,13.7A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥1.7836
38
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A
WeEn(瑞能)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
¥1.79
37
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥1.81
331
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
ST(意法半导体)
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
¥1.9395
58
电压 - 断态:800 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):100 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):800 mA
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.548
737
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥5.18
43
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.2224
2644
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.24
1400
电压 - 断态:400 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):15 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):8 A
ST(意法半导体)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.2542
9
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):3 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.1 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):20A,21A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.32
2046
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.4016
65
电压 - 断态:600 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):800 mV,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 µA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.6 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):2.5 A
WeEn(瑞能)
TO-220-3
¥2.4206
142
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):155A,170A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.24
17518
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
Littelfuse(美国力特)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥11.98
45
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):40A @ 60Hz
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.5471
412
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):45A,47A
WeEn(瑞能)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥2.548
22
电压 - 断态:650 V,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):5 mA,电压 - 通态 (Vtm)(最大值):1.75 V,电流 - 通态 (It (AV))(最大值):7.5 A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.7352
18711
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
WeEn(瑞能)
TO-220-3 全封装,隔离接片
¥2.94
319
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):25A,27A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.68708
47
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A,126A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.7976
22828
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.912
935
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
ST(意法半导体)
TO-261-4,TO-261AA
¥2.71
15
双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极,电压 - 断态:600 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):1 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,8.5A
ST(意法半导体)
TO-220-3
¥2.7
2551
双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器,电压 - 断态:800 V,电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):16 A,电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V,电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A,168A