BSS123,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.11
1,889,706
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS123,215
Nexperia(安世)
SOT-23

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Nexperia(安世)
SOT-23

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6000+:¥0.118

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10+:¥0.2285

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Nexperia(安世)
SOT-23-3

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安世(Nexperia)
SOT-23

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100+:¥0.2726

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 150mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 120mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 250mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3