IPT015N10N5
Infineon(英飞凌)
HSOF-8
¥5.62
5,100
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):300A,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@6V,75A
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IPT015N10N5
Infineon(英飞凌)
PG-HSOF-8

500+:¥5.62

100+:¥5.95

20+:¥6.95

1+:¥8.22

3955

22+/24+
IPT015N10N5
Infineon(英飞凌)
PG-HSOF-8

2000+:¥6.0

1+:¥6.22

977

24+
立即发货
IPT015N10N5
Infineon(英飞凌)
HSOF8

100+:¥5.865

30+:¥6.171

10+:¥6.273

1+:¥6.783

78

-
立即发货
IPT015N10N5
英飞凌(INFINEON)
HSOF-8

20000+:¥6.4515

4000+:¥6.9647

2000+:¥7.3312

500+:¥10.2637

200+:¥10.3092

10+:¥10.33

78

-
IPT015N10N5
Infineon Technologies/IR
HSOF-8,TO-3P-3L

6000+:¥7.656

4000+:¥7.788

2000+:¥7.92

4000

-
1-7工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 300A
导通电阻(RDS(on)) 2mΩ@6V,75A