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BSC070N10NS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.35 500+:￥2.49 100+:￥2.77 30+:￥3.23 10+:￥3.7 1+:￥4.63 |
7462 |
-
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立创商城
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.35 1+:￥2.45 |
9016 |
2年内
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.4232 1+:￥2.5272 |
9015 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC070N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥2.48 100+:￥2.62 20+:￥3.45 1+:￥4.27 |
1340 |
22+/23+
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在芯间
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BSC070N10NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.99 1+:￥3.12 |
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22+
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 75µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4000 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 114W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |