BSS84AK,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.072
574,089
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS84AK,215
Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.072

1+:¥0.0907

43870

25+
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BSS84AK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.07446

151391

24+
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BSS84AK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.07488

1+:¥0.09433

43864

25+
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BSS84AK,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0787

6000+:¥0.0849

3000+:¥0.0894

800+:¥0.1252

100+:¥0.1788

20+:¥0.2771

4874

-
BSS84AK,215
Nexperia(安世)
SOT-23

21000+:¥0.0811

9000+:¥0.0872

3000+:¥0.0984

600+:¥0.1181

200+:¥0.14

20+:¥0.1793

17360

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.35 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 36 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3