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BSS123LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSS123LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.1 1+:￥0.127 |
91607 |
25+
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圣禾堂
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BSS123LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.10161 |
1044 |
25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSS123LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.104 1+:￥0.13208 |
109814 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS123LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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21000+:￥0.1049 9000+:￥0.1134 3000+:￥0.1288 600+:￥0.16 200+:￥0.19 20+:￥0.244 |
66820 |
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立即发货
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立创商城
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BSS123LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.1052 6000+:￥0.1136 3000+:￥0.1196 800+:￥0.1674 100+:￥0.2392 20+:￥0.3893 |
1810 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |