ZXTN2010ZTA
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.5456
190,035
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):230mV @ 300mA,6A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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ZXTN2010ZTA
DIODES(美台)
SOT-89

5000+:¥0.5456

2000+:¥0.582

1000+:¥0.6426

150+:¥0.8052

50+:¥0.9143

5+:¥1.1688

72220

-
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ZXTN2010ZTA
美台(DIODES)
SOT-89

10000+:¥0.5584

2000+:¥0.6028

1000+:¥0.6345

500+:¥0.8883

100+:¥1.269

10+:¥1.967

885

-
ZXTN2010ZTA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥0.6

1+:¥0.651

37596

24+
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ZXTN2010ZTA
DIODES(美台)
SOT89-3

1000+:¥0.6169

400+:¥0.7653

200+:¥0.773

50+:¥0.8777

5+:¥1.122

1031

-
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ZXTN2010ZTA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥0.63

150+:¥0.79

50+:¥0.89

5+:¥1.11

40000

24+/23+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 230mV @ 300mA,6A
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 2A,1V
功率 - 最大值 2.1 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA