MMBT5089LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.116523
85,237
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):25 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 1mA,10mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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MMBT5089LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.113

1+:¥0.128

4977

25+
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MMBT5089LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1165

6000+:¥0.1242

3000+:¥0.1396

300+:¥0.1605

100+:¥0.1864

10+:¥0.2382

15490

-
立即发货
MMBT5089LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.11752

1+:¥0.13312

4272

25+
1-2工作日发货
MMBT5089LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.12009

51000

25+
1-3工作日发货
MMBT5089LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1243

6000+:¥0.1342

3000+:¥0.1413

800+:¥0.1978

100+:¥0.2826

20+:¥0.438

7130

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 25 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 400 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3