DMG2305UX-13
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.2
105,878
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMG2305UX-13
DIODES(美台)
SOT23

10000+:¥0.2

1+:¥0.22

18413

23+
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DMG2305UX-13
Diodes(美台)
SOT-23-3

10000+:¥0.208

1+:¥0.2288

18361

23+
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DMG2305UX-13
DIODES(美台)
SOT-23

10000+:¥0.2174

5000+:¥0.2306

1000+:¥0.2644

300+:¥0.2975

100+:¥0.3417

10+:¥0.4301

12830

-
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DMG2305UX-13
美台(DIODES)
SOT-23

100000+:¥0.22

20000+:¥0.2375

10000+:¥0.25

1000+:¥0.35

100+:¥0.5

20+:¥0.8138

18413

-
DMG2305UX-13
DIODES(美台)
SOT-23(SOT-23-3)

1000+:¥0.247

300+:¥0.276

100+:¥0.315

10+:¥0.392

19070

22+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 52 毫欧 @ 4.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 10.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 808 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3