PMF170XP,115
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.155
997,227
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
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PMF170XP,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.155

1+:¥0.175

236090

25+
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PMF170XP,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.1612

1+:¥0.182

236088

25+
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PMF170XP,115
Nexperia(安世)
SOT-323

9000+:¥0.1653

6000+:¥0.1698

3000+:¥0.1789

300+:¥0.1901

100+:¥0.2052

10+:¥0.2352

42850

-
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PMF170XP,115
Nexperia(安世)
SOT-323-3

3000+:¥0.17752

175470

25+24+
1-3工作日发货
PMF170XP,115
安世(Nexperia)
SC-70(SOT-323)

30000+:¥0.184

6000+:¥0.1986

3000+:¥0.2091

800+:¥0.2927

100+:¥0.4182

20+:¥0.6806

4905

-

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 200 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 280 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 290mW(Ta),1.67W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323