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BSN20-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSN20-7
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.2 1+:￥0.226 |
1817 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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BSN20-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.208 1+:￥0.23504 |
652 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSN20-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23
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1000+:￥0.2225 100+:￥0.245 1+:￥0.2793 |
2929 |
2452
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSN20-7
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.2328 6000+:￥0.2514 3000+:￥0.2646 800+:￥0.3704 100+:￥0.5292 20+:￥0.8613 |
2723 |
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油柑网
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BSN20-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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9000+:￥0.2492 6000+:￥0.2632 3000+:￥0.2912 300+:￥0.3267 100+:￥0.3734 10+:￥0.4669 |
18380 |
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立即发货
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 220mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 600mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |