咨询/建议
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：11519，逻辑元件/单元数：147443，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：498，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：6000，逻辑元件/单元数：76800，总 RAM 位数：4331520，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：316，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
LAB/CLB 数：598，逻辑元件/单元数：5980，总 RAM 位数：92160，I/O 数：98，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
停产
LAB/CLB 数：1472，逻辑元件/单元数：13248，总 RAM 位数：368640，I/O 数：372，栅极数：700000
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：3491，逻辑元件/单元数：55856，总 RAM 位数：2396160，I/O 数：327，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：11519，逻辑元件/单元数：147443，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：338，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：2475，逻辑元件/单元数：39600，总 RAM 位数：1161216，I/O 数：532，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：7911，逻辑元件/单元数：101261，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：326，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5968，逻辑元件/单元数：53712，总 RAM 位数：2322432，I/O 数：309，栅极数：3400000
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：215，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2688，逻辑元件/单元数：24192，总 RAM 位数：1327104，I/O 数：448，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：2400，逻辑元件/单元数：30720，总 RAM 位数：1179648，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2475，逻辑元件/单元数：39600，总 RAM 位数：1161216，I/O 数：331，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：20340，逻辑元件/单元数：355950，总 RAM 位数：31641600，I/O 数：256，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
LAB/CLB 数：56480，逻辑元件/单元数：149500，总 RAM 位数：7880704，I/O 数：336，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：113560，逻辑元件/单元数：301000，总 RAM 位数：14251008，I/O 数：336，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：27120，逻辑元件/单元数：474600，总 RAM 位数：41984000，I/O 数：280，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
LAB/CLB 数：1176，逻辑元件/单元数：5292，总 RAM 位数：57344，I/O 数：284，栅极数：200000
逻辑单元数：270000，逻辑阵列块数量：101620，内嵌式块RAM(eRAM)：17870848bit，工作温度：-40℃~+100℃
LAB/CLB 数：20340，逻辑元件/单元数：355950，总 RAM 位数：31641600，I/O 数：280，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
LAB/CLB 数：30300，逻辑元件/单元数：530250，总 RAM 位数：21606000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
逻辑单元数：725550，逻辑阵列块数量：41460，内嵌式块RAM(eRAM)：38912000bit，工作温度：-40℃~+100℃
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：4620，逻辑元件/单元数：73920，总 RAM 位数：4257792，I/O 数：290，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
逻辑元件/单元数：12084，总 RAM 位数：933888，I/O 数：84，电压 - 供电：1.14V ~ 2.625V，安装类型：表面贴装型
架构：MCU，FPGA，核心处理器：ARM® Cortex®-M3，闪存大小：512KB，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT
停产
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：368640，I/O 数：311，栅极数：400000
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：32，宏单元数：512
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：36
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.92V ~ 0.98V