咨询/建议
LAB/CLB 数：20340，逻辑元件/单元数：355950，总 RAM 位数：31641600，I/O 数：280，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：36
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：6 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：144
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5125，逻辑元件/单元数：65600，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：31775，逻辑元件/单元数：406720，总 RAM 位数：29306880，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：25475，逻辑元件/单元数：326080，总 RAM 位数：16404480，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：170，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2600，逻辑元件/单元数：33280，总 RAM 位数：1843200，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1300，逻辑元件/单元数：16640，总 RAM 位数：921600，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：11519，逻辑元件/单元数：147443，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：338，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：2400，逻辑元件/单元数：30720，总 RAM 位数：1327104，I/O 数：360，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：2400，逻辑元件/单元数：30720，总 RAM 位数：1179648，I/O 数：400，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1164，逻辑元件/单元数：10476，总 RAM 位数：368640，I/O 数：232，栅极数：500000
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：368640，I/O 数：195，栅极数：400000
LAB/CLB 数：448，逻辑元件/单元数：4032，总 RAM 位数：294912，I/O 数：195，栅极数：200000
LAB/CLB 数：3688，逻辑元件/单元数：33192，总 RAM 位数：663552，I/O 数：250，栅极数：1600000
LAB/CLB 数：1920，逻辑元件/单元数：17280，总 RAM 位数：442368，I/O 数：391，栅极数：1000000
LAB/CLB 数：1920，逻辑元件/单元数：17280，总 RAM 位数：442368，I/O 数：333，栅极数：1000000
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：158，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：215，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：900，逻辑元件/单元数：14400，总 RAM 位数：552960，I/O 数：72，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
LAB/CLB 数：6839，逻辑元件/单元数：109424，总 RAM 位数：5621760，I/O 数：393，电压 - 供电：1.16V ~ 1.24V
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：156，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：3022，逻辑元件/单元数：60440，总 RAM 位数：2544192，I/O 数：364，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：1694，逻辑元件/单元数：33880，总 RAM 位数：1369728，I/O 数：342，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2076，逻辑元件/单元数：33216，总 RAM 位数：483840，I/O 数：475，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1172，逻辑元件/单元数：18752，总 RAM 位数：239616，I/O 数：315，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：598，逻辑元件/单元数：5980，总 RAM 位数：92160，I/O 数：98，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：2210，宏单元数：1700
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：320，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：250，逻辑元件/单元数：4000，总 RAM 位数：193536，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：113560，逻辑元件/单元数：301000，总 RAM 位数：14251008，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
类型：其它PLD，工作电压(VCCIO)：2.375V~2.625V，逻辑阵列块数量：32，工作温度：0℃~+70℃
LAB/CLB 数：300，逻辑元件/单元数：3840，总 RAM 位数：221184，I/O 数：132，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32