咨询/建议
LAB/CLB 数：18868，逻辑元件/单元数：50000，总 RAM 位数：2862080，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：ARM® Cortex®-M3，闪存大小：128KB，RAM 大小：64KB，连接能力：CANbus，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB
总 RAM 位数：18432，I/O 数：96，栅极数：60000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：226304，I/O 数：201，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，I/O 数：113，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V，安装类型：表面贴装型
Digi-Key 停止提供
存储器类型：非易失，存储器格式：闪存，技术：FLASH - NOR，存储容量：32Mb，存储器组织：4M x 8，2M x 16
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.87V ~ 0.93V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：737280，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
LAB/CLB 数：1694，逻辑元件/单元数：33880，总 RAM 位数：1369728，I/O 数：361，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：7911，逻辑元件/单元数：101261，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：338，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：903，逻辑元件/单元数：14448，总 RAM 位数：239616，I/O 数：315，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：18432，I/O 数：78，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：9 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：27，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：72，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：72，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：540，逻辑元件/单元数：4320，总 RAM 位数：94208，I/O 数：100，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：104，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：343，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：5V，速度：10 ns，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：168，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：84，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：3022，逻辑元件/单元数：60440，总 RAM 位数：2544192，I/O 数：364，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1172，逻辑元件/单元数：18752，总 RAM 位数：239616，I/O 数：142，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
逻辑单元数：2560，逻辑阵列块数量：2560，内嵌式块RAM(eRAM)：32768bit，工作温度：0℃~+85℃
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.7 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
停产
可编程类型：系统内可编程，存储容量：256Mb，电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V，工作温度：-40°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：2210，宏单元数：1700
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：210，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
总 RAM 位数：36864，I/O 数：97，栅极数：125000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
架构：MCU，FPGA，核心处理器：ARM® Cortex®-M3，闪存大小：512KB，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT
LAB/CLB 数：7925，逻辑元件/单元数：101440，总 RAM 位数：4976640，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：16825，逻辑元件/单元数：215360，总 RAM 位数：13455360，I/O 数：285，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：18180，逻辑元件/单元数：318150，总 RAM 位数：13004800，I/O 数：312，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
LAB/CLB 数：25391，逻辑元件/单元数：444343，总 RAM 位数：19456000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：218，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：30300，逻辑元件/单元数：530250，总 RAM 位数：21606000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.880V ~ 0.979V
LAB/CLB 数：18180，逻辑元件/单元数：318150，总 RAM 位数：13004800，I/O 数：312，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：72