咨询/建议
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：192，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4250，逻辑元件/单元数：17000，总 RAM 位数：442368，I/O 数：40，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：300，逻辑元件/单元数：3840，总 RAM 位数：221184，I/O 数：106，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：7911，逻辑元件/单元数：101261，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：296，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：7911，逻辑元件/单元数：101261，总 RAM 位数：4939776，I/O 数：376，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
类型：EEPLD，工作电压(VCCIO)：4.75V~5.25V，逻辑阵列块数量：6，工作温度：0℃~+70℃
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：858，逻辑元件/单元数：6864，总 RAM 位数：245760，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：5900，逻辑元件/单元数：75520，总 RAM 位数：3870720，I/O 数：300，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
架构：MCU，FPGA，核心处理器：ARM® Cortex®-M3，闪存大小：256KB，RAM 大小：64KB，连接能力：CANbus，以太网，I²C，SPI，UART/USART，USB
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.2 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：1270，宏单元数：980
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：226304，I/O 数：100，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：82，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：316，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：240，逻辑元件/单元数：2160，总 RAM 位数：73728，I/O 数：108，栅极数：100000
LAB/CLB 数：192，逻辑元件/单元数：1728，总 RAM 位数：73728，I/O 数：63，栅极数：50000
LAB/CLB 数：8640，逻辑元件/单元数：110592，总 RAM 位数：4718592，I/O 数：440，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：368640，I/O 数：311，栅极数：400000
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：18432，I/O 数：79，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：2.5V，3.3V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：150，逻辑元件/单元数：1200，总 RAM 位数：9421，I/O 数：211，电压 - 供电：1.71V ~ 3.465V
总 RAM 位数：36864，I/O 数：100，栅极数：125000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：27，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：180，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：72，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：163，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：285，逻辑元件/单元数：2280，总 RAM 位数：28262，I/O 数：101，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：320，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：288，逻辑元件/单元数：4608，总 RAM 位数：119808，I/O 数：158，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：3V ~ 5.5V，速度：10 ns，安装类型：表面贴装型
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：4.7 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：240，宏单元数：192
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：4125，逻辑元件/单元数：33000，总 RAM 位数：1358848，I/O 数：295，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
总 RAM 位数：36864，I/O 数：97，栅极数：250000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
逻辑元件/单元数：768，I/O 数：77，栅极数：30000，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：294912，I/O 数：173，栅极数：400000