咨询/建议
停产
LAB/CLB 数：1206，逻辑元件/单元数：12060，总 RAM 位数：239616，I/O 数：173，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：56480，逻辑元件/单元数：149500，总 RAM 位数：7880704，I/O 数：480，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：18480，逻辑元件/单元数：49000，总 RAM 位数：3464192，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：1563，逻辑元件/单元数：25000，总 RAM 位数：691200，I/O 数：101，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：125，逻辑元件/单元数：2000，总 RAM 位数：110592，I/O 数：160，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：5831，逻辑元件/单元数：74637，总 RAM 位数：3170304，I/O 数：408，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：190，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：240，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：1920，逻辑元件/单元数：17280，总 RAM 位数：442368，I/O 数：333，栅极数：1000000
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：250，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：15 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
LAB/CLB 数：1484，逻辑元件/单元数：5936，总 RAM 位数：184320，I/O 数：37，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：16000，总 RAM 位数：562176，I/O 数：130，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：2076，逻辑元件/单元数：33216，总 RAM 位数：483840，I/O 数：322，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：368640，I/O 数：100，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：250，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：80，逻辑元件/单元数：640，总 RAM 位数：65536，I/O 数：107，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：75776，I/O 数：206，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：600，逻辑元件/单元数：2700，总 RAM 位数：40960，I/O 数：92，栅极数：100000
可编程类型：PAL，电压 - 输入：4.5V ~ 5.5V，速度：30 ns，安装类型：通孔，封装/外壳：20-CDIP（0.300"，7.62mm）
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：180，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：72，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：737280，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：6.7 ns，供电电压 - 内部：1.7V ~ 1.9V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
LAB/CLB 数：500，逻辑元件/单元数：8000，总 RAM 位数：387072，I/O 数：112，电压 - 供电：2.85V ~ 3.465V
I/O 数：488，电压 - 供电：1.71V ~ 1.89V，安装类型：表面贴装型，工作温度：0°C ~ 85°C（TJ），封装/外壳：652-BGA
LAB/CLB 数：1879，逻辑元件/单元数：24051，总 RAM 位数：958464，I/O 数：226，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：15 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，宏单元数：32，I/O 数：32
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：5.4 ns，供电电压 - 内部：1.71V ~ 1.89V，逻辑元件/块数：570，宏单元数：440
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：156，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：963，逻辑元件/单元数：15408，总 RAM 位数：516096，I/O 数：81，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：1000，逻辑元件/单元数：12800，总 RAM 位数：737280，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1139，逻辑元件/单元数：14579，总 RAM 位数：589824，I/O 数：186，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：600，逻辑元件/单元数：2700，总 RAM 位数：40960，I/O 数：92，栅极数：100000
LAB/CLB 数：11900，逻辑元件/单元数：31500，总 RAM 位数：1381376，I/O 数：208，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
架构：MCU，FPGA，核心处理器：带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A9 MPCore™，RAM 大小：64KB，外设：DMA，POR，WDT，连接能力：CANbus，EBI/EMI，以太网，I²C，MMC/SD/SDIO，SPI，UART/USART，USB OTG
LAB/CLB 数：2168，逻辑元件/单元数：19512，总 RAM 位数：516096，I/O 数：304，栅极数：1200000
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：41460，逻辑元件/单元数：725550，总 RAM 位数：38912000，I/O 数：520，电压 - 供电：0.922V ~ 0.979V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：2.7V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：2，宏单元数：32