咨询/建议
停产
LAB/CLB 数：3022，逻辑元件/单元数：60440，总 RAM 位数：2544192，I/O 数：364，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：182，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：182，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：3158，逻辑元件/单元数：50528，总 RAM 位数：594432，I/O 数：294，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：3158，逻辑元件/单元数：50528，总 RAM 位数：594432，I/O 数：294，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：2076，逻辑元件/单元数：33216，总 RAM 位数：483840，I/O 数：475，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
LAB/CLB 数：1206，逻辑元件/单元数：12060，总 RAM 位数：239616，I/O 数：173，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
停产
LAB/CLB 数：1206，逻辑元件/单元数：12060，总 RAM 位数：239616，I/O 数：185，电压 - 供电：1.425V ~ 1.575V
LAB/CLB 数：138，逻辑元件/单元数：1100，总 RAM 位数：65536，I/O 数：39，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：40，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：163，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：163，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：40，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：9750，逻辑元件/单元数：39000，总 RAM 位数：1548288，I/O 数：180，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：4075，逻辑元件/单元数：52160，总 RAM 位数：2764800，I/O 数：106，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：1825，逻辑元件/单元数：23360，总 RAM 位数：1658880，I/O 数：150，电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V
LAB/CLB 数：29080，逻辑元件/单元数：77000，总 RAM 位数：5001216，I/O 数：336，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：516，逻辑元件/单元数：8256，总 RAM 位数：165888，I/O 数：138，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
停产
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：6 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：288
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：368640，I/O 数：251，栅极数：400000
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：8，宏单元数：128
总 RAM 位数：73728，I/O 数：100，栅极数：300000，电压 - 供电：2.3V ~ 2.7V，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：896，逻辑元件/单元数：8064，总 RAM 位数：368640，I/O 数：311，栅极数：400000
LAB/CLB 数：18480，逻辑元件/单元数：49000，总 RAM 位数：3464192，I/O 数：224，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
LAB/CLB 数：3411，逻辑元件/单元数：43661，总 RAM 位数：2138112，I/O 数：358，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：100，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
LAB/CLB 数：113560，逻辑元件/单元数：301000，总 RAM 位数：14251008，I/O 数：480，电压 - 供电：1.07V ~ 1.13V
停产
可编程类型：系统内可编程，存储容量：128Mb，电压 - 供电：1.7V ~ 2V，工作温度：-40°C ~ 85°C，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：1539，逻辑元件/单元数：24624，总 RAM 位数：608256，I/O 数：150，电压 - 供电：1.2V
停产
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
可编程类型：EE PLD，宏单元数：10，电压 - 输入：5V，速度：10 ns，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：3491，逻辑元件/单元数：55856，总 RAM 位数：2396160，I/O 数：324，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
LAB/CLB 数：4276，逻辑元件/单元数：68416，总 RAM 位数：1152000，I/O 数：422，电压 - 供电：1.15V ~ 1.25V
可编程类型：EE PLD，宏单元数：8，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：表面贴装型
LAB/CLB 数：6656，逻辑元件/单元数：59904，总 RAM 位数：2949120，I/O 数：448，电压 - 供电：1.14V ~ 1.26V
停产
可编程类型：PAL，电压 - 输入：5V，速度：15 ns，安装类型：通孔，封装/外壳：20-DIP（0.300"，7.62mm）
可编程类型：系统内可编程（最少 10000 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：4.75V ~ 5.25V，宏单元数：64，I/O 数：32
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：107，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
LAB/CLB 数：160，逻辑元件/单元数：1280，总 RAM 位数：65536，I/O 数：21，电压 - 供电：2.375V ~ 3.465V
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：7.5 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：16，宏单元数：256
可编程类型：系统内可编程，延迟时间 tpd(1) 最大值：10 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：384，逻辑元件/单元数：1728，总 RAM 位数：32768，I/O 数：176，栅极数：50000
停产
LAB/CLB 数：864，逻辑元件/单元数：3888，总 RAM 位数：49152，I/O 数：140，栅极数：150000
LAB/CLB 数：12675，逻辑元件/单元数：162240，总 RAM 位数：11980800，I/O 数：400，电压 - 供电：0.97V ~ 1.03V
可编程类型：系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环），延迟时间 tpd(1) 最大值：9.1 ns，供电电压 - 内部：3V ~ 3.6V，逻辑元件/块数：4，宏单元数：64
LAB/CLB 数：27120，逻辑元件/单元数：474600，总 RAM 位数：41984000，I/O 数：304，电压 - 供电：0.825V ~ 0.876V