ST(先科)
SOD-123
¥0.0808
1140
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):400mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-523
¥0.077045
1300
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0841
680
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.3V@300mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.0861
2820
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):180 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 200 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0856
1260
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.095
3238
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW
PANJIT(强茂)
SOT-323-3
¥0.0956
36380
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.1264
1840
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.12126
54160
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.158
6974
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 5 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
MiniMELF
¥0.15912
12857
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):600mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.429
4000
正向压降(Vf):850mV@2mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):100nA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.1274
10908
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥1.5323
20
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.430276
9407
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
DO-204AL
¥0.5666
19961
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
D2PAK
¥3.6135
820
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 30 A
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.0165
190696
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02136
2150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
JUXING(钜兴)
SOD-523
¥0.0305
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:125mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.0339
11162
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0376
850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.033725
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.039
51450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.0403
650
正向压降(Vf):1.25V@0.2A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):250mW
德昌电子
DO-35
¥0.0385
3250
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0364
1385458
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.048355
1850
德昌电子
SOD-123FL
¥0.05115
6278
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0447
8413
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0456
35230
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0462
350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0471
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0489
353065
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):250V,反向电流(Ir):100nA
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0531
4129
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
ST(先科)
TO-236-3
¥0.055
7421
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
ST(先科)
SOT-23
¥0.0561
29535
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.066595
60
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:250mA
CBI(创基)
SOD-523
¥0.0679
780
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):35V,反向电流(Ir):20nA
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.1049
880
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.06562
5928
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOT-23-3
¥0.0765
34115
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.0899
9136
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0803
113162
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,耗散功率(Pd):200mW
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0978
2900
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):350mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.08523
5480
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.3V@300mA,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:500mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0988
2920
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523
¥0.0908
22131
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.1
158519
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.1392
2600
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA