华轩阳
SOD-323
¥0.05933
820
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323-3
¥0.0847
127646
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0835
2980
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.068
3050
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0802
2650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.144
80529
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.05512
8548
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1162
640
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
DIODES(美台)
SOD-923
¥0.14248
57713
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.128
250625
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-204AH
¥0.193135
14073
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-61B
¥0.208
42200
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
onsemi(安森美)
TO-252-2
¥1.12
23309
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.97
42
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
SOD-323
¥0.020995
3000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-323
¥0.02096
5900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
DOWO(东沃)
SOD-123
¥0.02007
14998
正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.02325
2179
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.02489
0
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA
CBI(创基)
SOT-23
¥0.027528
19804
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.03088
1900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0276
3100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
IDCHIP(英锐芯)
SOD-323
¥0.03705
1400
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):71V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.0415
10425
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0407
24893
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.05624
7750
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05949
8849
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0649
28671
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.066
101038
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
SMC(桑德斯)
SOD-323
¥0.0658
3240
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 300 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.07668
2180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:125mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.02071
2720
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.068
2450
正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):35V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10nA
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.0898
53185
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.1
94835
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SOD-523
¥0.1133
2000
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):150mW
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.0914
2960
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):300uA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323
¥0.1267
620
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:150nA,耗散功率(Pd):200mW
TOSHIBA(东芝)
SOD-923
¥0.1274
15631
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SOT-23
¥0.13208
39546
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
LRC(乐山无线电)
DO-15
¥0.1739
1430
正向压降(Vf):1.3V@2.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,反向电流(Ir):5uA,反向恢复时间(Trr):250ns
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.1988
1250
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
KEC(开益禧)
USM
¥0.2143
3190
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):100mW
Comchip(典琦)
0201
¥0.30943
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.82264
27098
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0231
197500
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.024795
1500
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):200mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323(SC-90)
¥0.0306
3300
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
德昌电子
LL-34
¥0.0332
0
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
KEXIN(科信)
SOD-323
¥0.0355
1800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA