BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0513
3000
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
ElecSuper(静芯)
SOT-23
¥0.0388
550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):715mV,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
ElecSuper(静芯)
SOD-523
¥0.0361
875
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Hottech(合科泰)
SOD-323
¥0.037335
605
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
YFW(佑风微)
SOD-523
¥0.03944
1100
正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.05032
2400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0727
8303
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.03465
800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA
Nexperia(安世)
DFN1006BD-2
¥0.060722
396833
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.106
392693
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
CBI(创基)
SOD-323
¥0.09225
2000
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0899
5677
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0957
19046
正向压降(Vf):1.3V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.1
275790
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):350V,整流电流:225mA
DIODES(美台)
0402(1006 公制)
¥0.14
13050
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.09945
2520
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.10251
6480
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.123595
1420
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):160mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.134
6030
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):160mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
停产
TOSHIBA(东芝)
SC-70
¥0.1438
118609
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.16263
5000
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.1991
1
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
TOSHIBA(东芝)
SOT-23
¥0.2594
70
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.2241
120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOD-882
¥0.13
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.237
36134
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DO-34
¥0.275898
5055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):125V,整流电流:250mA
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.354717
1930
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.337
18422
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3876
275
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.727
1870
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥4.1533
4
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-323W
¥0.0165
3113839
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.02496
12705
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
ChipNobo(无边界)
SOD-523
¥0.02584
23000
正向压降(Vf):715mV@1mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23(TO-236)
¥0.0296
5900
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):100uA@70V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.035626
5800
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.02616
0
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.038
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.04021
20470
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-523
¥0.042
22280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
ST(先科)
SOT-23
¥0.0418
54439
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.062
7500
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0371
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0507
21245
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0454
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.0651
2920
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:160mA
YFW(佑风微)
SOT-323
¥0.066025
1160
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,反向恢复时间(Trr):50ns
SMC(桑德斯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.067022
2040
二极管配置:1 对串行连接,技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.03817
14777
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA