Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0711
130442
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.0633
2850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
AnBon(安邦)
SOT-23
¥0.0483
2600
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
德昌电子
SOD-523
¥0.072202
0
ST(先科)
SOD-523
¥0.077
3500
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):150mW
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.09
1320
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):410mW
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0781
0
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.09131
56077
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.088
124438
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
CBI(创基)
SOT-363
¥0.08712
340
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.12848
8100
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-323F
¥0.0889
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0913
6124
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:100mA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.1014
4440
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1437
2120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1047
3082
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.10575
4880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.1008
4280
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SC-70
¥0.11
11724
正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):200mW
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.0727
2900
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.123849
25132
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):170mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.0723
0
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
DIODES(美台)
SOT-323
¥0.12
13790
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CBI(创基)
SOT-563
¥0.12276
2270
二极管配置:2个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:250mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123
¥0.363781
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.124025
11564
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.15
7728
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.182
22279
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523F
¥0.3576
280
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.184
19426
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.189312
15196
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-143
¥0.201
229473
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.226
5352
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥0.207
3400
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.2519
4324
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.419
29025
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
ROHM(罗姆)
SOT-416-3
¥0.2735
58320
二极管类型:标准 - 1 对共阴极,电压 - 峰值反向(最大值):35V,不同 Vr、F 时电容:1.2pF @ 6V,1MHz,不同 If、F 时电阻:900 毫欧 @ 2mA,100MHz,功率耗散(最大值):150 mW
onsemi(安森美)
SC-88A-5
¥0.3465
1735
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.29079
177190
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
DIODES(美台)
DFN-2(0.6x1)
¥0.33
258
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-666
¥0.408564
16518
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
ROHM(罗姆)
SOT-323-3
¥0.5183
33454
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-882D
¥0.214
10
二极管类型:标准型,反极性,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):330mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.02
11225
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
Infineon(英飞凌)
SOT-363-6
¥0.9231
3
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.96
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.858
4451
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-220AC
¥2.77
884
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.15 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-220-2
¥6.86
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V,电流 - 平均整流 (Io):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.2 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MICROCHIP(美国微芯)
DO-213AA
¥11.65
11
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度