onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.1717
6292
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.1478
2307
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.165395
23380
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SC-76,SOD-323
¥0.21987
1425
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Prisemi(芯导)
SOD-123F
¥0.2383
1480
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@20V
DIODES(美台)
SOT-353
¥0.35152
4749
二极管配置:2 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SOT-23-3
¥0.443348
129
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.219
14000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SC-74A(SOT-753)
¥0.5221
36531
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
晶导微电子
SOD-323
¥0.0264
286379
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:250mA
Hottech(合科泰)
SOD-123
¥0.03211
11870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0355
102600
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):250mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.038285
13430
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA
德昌电子
SOD-523
¥0.03894
2598
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.049115
2250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
CBI(创基)
SOT-323
¥0.05
1430
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:150mA
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0486
6318
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.04576
7219
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0551
1450
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA,耗散功率(Pd):350mW
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.0549
40397
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-123
¥0.0632
96615
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.068
6277
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
MiniMELF
¥0.0777
210601
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.0814
146518
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.0935
212384
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.0924
46518
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
GOODWORK(固得沃克)
SOT-363
¥0.09513
6220
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0984
5756
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
PANJIT(强茂)
SOT-363
¥0.1397
6660
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.151
27560
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.18
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):325mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.208
61208
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-143-4
¥0.2282
1950
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0805
¥0.2556
0
直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW,反向电流(Ir):5uA
LRC(乐山无线电)
DO-41
¥0.3742
3300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):3.4V@0.5A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:1A
TOSHIBA(东芝)
SC-61
¥0.6678
3110
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):150mW
CBI(创基)
SOT-23
¥0.01776
0
正向压降(Vf):920mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):150mW
CBI(创基)
SOD-323
¥0.01794
2038
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
华轩阳
SOT-23
¥0.02278
10175
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0345
122740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:250mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.04237
1450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.04056
217552
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):715mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0482
8750
正向压降(Vf):875mV@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.0491
2800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
LRC(乐山无线电)
SOT-323
¥0.045
552859
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOD-323S
¥0.0554
8200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.051775
10600
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.06
6854
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.056
4194
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):200mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0787
2252
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:100mA