MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.109905
760
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.1118
122800
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.2527
1974
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-23
¥0.1662
39025
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1815
10
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.2317
14967
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.221
35427
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.23389
1375
二极管配置:3 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.2087
3080
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):200mW
Nexperia(安世)
DFN1010D-3
¥0.2135
26620
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):170mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-143-4
¥0.161112
1640
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.4599
2846
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.509
4773
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214BA
¥0.93
1741
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214BA
¥1.07
3246
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-220-2
¥2.3994
203
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.2V@15A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:15A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥9.0024
54
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.6V@40A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:80A
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0407
21715
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.03975
1100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOT-23
¥0.0237
3700393
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.0335
17330
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):410mW
CBI(创基)
SOD-523
¥0.02319
2506
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0324
186124
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YFW(佑风微)
LL-34
¥0.035815
1900
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04275
14378
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
GOODWORK(固得沃克)
SOT-323
¥0.03924
4150
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:175mA
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.0405
2900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
WAY-ON(维安)
SOD-523
¥0.0474
2900
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
Prisemi(芯导)
SOD-123FL
¥0.0521
2300
直流反向耐压(Vr):1kV
MCC(美微科)
SOT-323-3
¥0.1236
740
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0551
2950
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA,耗散功率(Pd):350mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0567
19598
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:150mA
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOD-323
¥0.0566
100
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.05406
2300
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.0624
5420
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):175mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0616
218330
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-523
¥0.06426
0
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0726
97954
正向压降(Vf):1.1V@150mA,直流反向耐压(Vr):130V,整流电流:215mA,耗散功率(Pd):250mW
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.07315
2220
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
LL-34
¥0.07497
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
ST(先科)
TO-236
¥0.0762
720
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):350mW
CJ(江苏长电/长晶)
WBFBP-02C
¥0.045927
450
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):100mW
LRC(乐山无线电)
SOD-723
¥0.0765
385010
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
华轩阳
SOD-323
¥0.08184
1020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
DO-213AC,MINI-MELF,SOD-80
¥0.101
4364
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
MiniMELF
¥0.0873
5040
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):300mW
Nexperia(安世)
DO-34
¥0.065016
150
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.1179
2970
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23
¥0.0925
3240
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):350mW
onsemi(安森美)
SOT-323
¥0.09693
213643
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度