YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.04879
1660
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):410mW
Nexperia(安世)
SOT-323-3
¥0.0891
7560
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOT-363
¥0.111625
2480
二极管配置:2对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
DIODES(美台)
SOD-523
¥0.129
16556
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.12
19205
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.134
15946
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.14174
121730
二极管配置:2 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.12126
20193
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SOD-882
¥0.156195
13680
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOT-323(SC-70)
¥0.0778
2363
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
Nexperia(安世)
SOT-143
¥0.1777
86682
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA
DIODES(美台)
SOT-353
¥0.189312
25393
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 100 mA
KUU(永裕泰)
SOT-363
¥0.2233
126950
二极管配置:2对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA
DIODES(美台)
SOT-143
¥0.206
12286
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.325
22690
二极管配置:2 对 CA + CC,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.4277
2415
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):225mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-15
¥0.736508
3000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.08642
9092
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
插件
¥2.81
95
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):520 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220AC-2
¥2.4
9487
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):975 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
TO-220-2
¥3.588
500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@20A,直流反向耐压(Vr):650V,整流电流:28A
Infineon(英飞凌)
TO-247-3
¥52.8619
2
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):150A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2 V @ 100 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0187
63368
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.02156
550
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.033535
350
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
YFW(佑风微)
SOD-523
¥0.034105
3800
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):150mW
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.03172
384748
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-523
¥0.0379
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
PANJIT(强茂)
LL-34
¥0.0609
6530
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0332
2200
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):150mW
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.03834
700
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SOD-323
¥0.045
1850
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.040945
7150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.042
17321
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOT-23
¥0.0474
3350
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.043
51780
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-323
¥0.04653
3100
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2.5uA
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.03856
1540
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.04579
1900
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
KEXIN(科信)
SOT-23
¥0.0477
1950
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0641
52700
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0523
208942
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
KEC(开益禧)
ESC
¥0.05512
17116
正向压降(Vf):850mV@2mA,直流反向耐压(Vr):35V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):100mW
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.056
3802
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
德昌电子
SOD-882
¥0.0572
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
AnBon(安邦)
SOD-523
¥0.06
5390
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
CBI(创基)
SOT-323
¥0.06095
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:155mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0719
6070
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.0617
8850
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.05712
180
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA