MCC(美微科)
SOD-323
¥0.0372
8500
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0719
401108
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):250V,耗散功率(Pd):225mW
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0676
15900
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
SMC(桑德斯)
SOD-523
¥0.0913
4760
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.206
4644
二极管配置:3个独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.212
58677
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOT-23-3
¥0.231
9511
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):240 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):225mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
onsemi(安森美)
DO-214BA
¥1.149
145
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.018655
2800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA
FOSAN(富信)
SOT-23
¥0.0231
98400
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
ElecSuper(静芯)
SOD-123
¥0.03036
1780
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.0332
605650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@300mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA
MCC(美微科)
SOD-123
¥0.035
482505
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0363
3065926
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.04066
6175
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.05481
14870
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.075
19918
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.1034
2220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:200mA
VISHAY(威世)
DO-35
¥0.0506
1037201
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
MiniMELF
¥0.05658
928737
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 5 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.073
16192
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
ROHM(罗姆)
SOT-323-3
¥0.0573
308318
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0737
84717
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523
¥0.0801
5880
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):150mW
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.12009
69304
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.16435
436287
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.1214
7325
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 50 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.4306
2315
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.44
105262
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
SOT-23
¥0.028
42350
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOT-23
¥0.0261
15571
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
DO-35
¥0.0308
10940
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0338
14000
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):250mW
Hottech(合科泰)
SOD-523
¥0.033725
1850
正向压降(Vf):1.24V@200mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):225mW
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0333
7660
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):200mW
KUU(永裕泰)
0805
¥0.036
320150
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@100mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YFW(佑风微)
SOT-23
¥0.03232
550
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):350mW
CBI(创基)
SOT-523
¥0.03882
200
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:75mA
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.046835
2450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.047
25965
正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):200mW
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.04264
12292
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.05624
4300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-523(SC-79)
¥0.0619
34376
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):150mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0945
24173
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0935
9038
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-323
¥0.1185
2600
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.09
83233
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SOD-323
¥0.085
3040
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):200mW
PANJIT(强茂)
SOT-323-3
¥0.08434
8033
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.07647
3320
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):350mW