华轩阳
SOT-23
¥0.023064
9940
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0238
318236
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):100nA@80V
KEXIN(科信)
SOD-323F
¥0.0261
3900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.02812
2950
正向压降(Vf):1V@50mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):350mW
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.02366
38696
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:250mA,耗散功率(Pd):250mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.1028
1080
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0382
37890
正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA,耗散功率(Pd):150mW
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.045
22504
KEC(开益禧)
SOT-23
¥0.07
65000
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0809
21243
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:225mA
Nexperia(安世)
SOT-23(2.9x1.3)
¥0.0555
32526
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0989
2960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-323(SC-70)
¥0.06344
6892
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.08577
327703
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):215mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0836
135327
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.0925
238409
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
VISHAY(威世)
MiniMELF
¥0.1003
664297
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1249
10343
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TOSHIBA(东芝)
SOT-323
¥0.117682
72830
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):900mV@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.1135
8240
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-323-3
¥0.4273
45
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.9629
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOT-23
¥0.022
40189
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.026
312496
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.03648
700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
LGE(鲁光)
SOD-123
¥0.0403
2950
正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:200mA,耗散功率(Pd):250mW
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0594
161895
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.06614
3721
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@200mA,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:200mA
AnBon(安邦)
SOT-323
¥0.0788
160
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
TECH PUBLIC(台舟)
DFN-2(0.6x1)
¥0.0851
21060
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-523-3
¥0.091
1776
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@100mA,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:100mA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.1243
14993
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.10712
20524
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.0994
43502
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.118
135329
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SC-76,SOD-323
¥0.1352
35059
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ROHM(罗姆)
TO-236-3(SOT-23-3)
¥0.1368
97079
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 100 mA
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.13208
87824
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):250 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
DFN-2(0.6x1)
¥0.1382
123469
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-123
¥0.2821
505
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):75 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123F
¥0.033
195536
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.028405
22020
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
德昌电子
DO-35
¥0.021465
8450
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:150mA,耗散功率(Pd):500mW
KUU(永裕泰)
SOT-23
¥0.0375
54200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:200mA
德昌电子
DO-34
¥0.035199
0
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.037145
3000
正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:300mA,耗散功率(Pd):400mW
IDCHIP(英锐芯)
SOT-23
¥0.0391
1500
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):75V,整流电流:215mA
ST(先科)
SOT-23
¥0.0419
700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:200mA
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.0474
13820
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.25V@150mA,直流反向耐压(Vr):85V,整流电流:215mA
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05411
10876
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):855 mV @ 10 mA