MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.56304
145
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):560mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
LGE(鲁光)
TO-252
¥0.63459
1976
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.8862
137
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):550mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A
onsemi(安森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.832
40483
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-214AB(SMC)
¥1.1088
4342
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@60V
Hottech(合科泰)
DO-214AC(SMA)
¥0.041325
25078
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0414
3650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.03682
68543
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.0525
6200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.06677
179366
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.0801
29737
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SOD-123FL
¥0.08077
84411
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.132
14020
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.1508
10262
正向压降(Vf):370mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):80uA@40V
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.14411
61332
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.1749
7890
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.2028
20858
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
DO-27
¥0.27621
4395
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.47
7565
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.31488
42313
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.46246
6634
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.473575
9510
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.5044
7906
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.4783
2285
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):395mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥2.7048
153
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A,反向电流(Ir):400uA@100V
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-523
¥0.0371
19192
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
Slkor(萨科微)
SOD-123
¥0.03825
1900
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-323
¥0.05
25680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOD-123FL
¥0.058
64284
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.06812
12588
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.062
38539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
LL-34
¥0.0708
3260
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:50mA,反向电流(Ir):50uA@10V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.088
78610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.10088
17288
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@20V
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.10334
661638
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.127
19681
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
晶导微电子
SMB(DO-214AA)
¥0.121
178101
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):350uA@60V
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.121
21494
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.13
10402
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1317
7948
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.143
13887
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.139
20837
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
SOT-23-3L
¥0.138
411782
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.1714
19940
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):960 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.14688
1406
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
Tokmas(托克马斯)
DO-214AB
¥0.1682
8530
正向压降(Vf):630mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):30uA@60V
SUNMATE(森美特)
SMC
¥0.198
29617
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.177
30191
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
SMB
¥0.1792
5000
正向压降(Vf):390mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):220uA@40V
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.1768
39293
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V