CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07207
12082
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA
Nexperia(安世)
TO-236AB
¥0.065142
16460
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.08476
23981
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.1251
4610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-23
¥0.0769
3900
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0913
98880
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.0899
37734
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.11
3373
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.1029
15671
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.1016
29048
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.10017
1670
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SMC
¥0.13088
8700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
JUXING(钜兴)
SMB
¥0.137845
10160
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
晶导微电子
SMBF
¥0.1408
67247
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1417
20560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.156
30295
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.19
286170
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SMB(DO-214AA)
¥0.208
39683
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
14097
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.2407
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
DFN1608-2
¥0.12896
33981
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):560mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.31796
18639
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.310464
56564
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.3536
6166
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.3571
5360
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.42294
5235
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.494
22482
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MOT(仁懋)
TO-220
¥0.5873
1895
正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@45V
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.7762
15247
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-277
¥0.84702
6794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):590mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:12A
YFW(佑风微)
TO-263
¥0.8916
835
正向压降(Vf):760mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):1mA@100V
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥0.8936
3210
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DPAK(TO-252AA)
¥1.32
4070
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-263-2
¥2.2
7730
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 10 A
FOSAN(富信)
SOD-123FL
¥0.0297
98156
正向压降(Vf):700mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
CBI(创基)
SOD-123
¥0.03692
25746
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
晶导微电子
SMA(DO-214AC)
¥0.0484
393513
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOD-523
¥0.04774
542312
正向压降(Vf):370mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.05022
6750
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.06354
10640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0558
52912
正向压降(Vf):410mV,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0605
23656
正向压降(Vf):550mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@20V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.065
362323
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.06864
23004
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
SOD-523
¥0.08
13439
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0902
82710
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.10906
11880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0875
11032
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
LGE(鲁光)
DO-214AC(SMA)
¥0.12627
15400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1319
76246
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度