YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0735
34277
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-323
¥0.0868
38974
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.108
44200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.11
24492
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
Tokmas(托克马斯)
SOD-123FL
¥0.1121
5670
正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1mA@30V
MSKSEMI(美森科)
0201
¥0.118
38865
正向压降(Vf):620mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):700nA@30V
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.144
39450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
Tokmas(托克马斯)
SMB
¥0.1488
5070
正向压降(Vf):600mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):1mA@40V
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1396
106345
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.188
25960
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-143
¥0.194139
91396
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.237
19515
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SMC(桑德斯)
DO-214AC,SMA
¥0.2483
4853
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.223
77540
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SC-76(SOD-323)
¥0.195
21103
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 100 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.3014
27587
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
SMA
¥0.44
48342
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.462
24700
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
JUXING(钜兴)
ITO-220AB
¥0.57456
1185
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-252-2
¥0.43056
2729
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.572
2492
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB,SMC
¥0.6378
322039
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.75
126828
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.8
5003
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.61
22454
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):670mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
PANJIT(强茂)
TO-277B
¥1.092
16421
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FOSAN(富信)
SOD-123
¥0.0353
32450
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0372
12640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
BLUE ROCKET(蓝箭)
SOT-23
¥0.0364
30274
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0495
59095
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
LRC(乐山无线电)
SOD-882
¥0.0519
305603
正向压降(Vf):350mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA
GOODWORK(固得沃克)
SMAF
¥0.046325
41770
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SOD-123F
¥0.05271
35740
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.06593
8700
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.04705
40800
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.08838
12470
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.09729
18740
正向压降(Vf):950mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@200V
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.1622
8119
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.1
86282
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.1156
3800
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):200nA
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.13467
171449
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DFN1006-2L
¥0.0603
29381
正向压降(Vf):610mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):40uA@40V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.16497
1900
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@150V
BORN(伯恩半导体)
DO-214AA
¥0.195
6783
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):50uA@60V
SHIKUES(时科)
SMAF
¥0.21632
89450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.3097
5157
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.24544
40197
正向压降(Vf):920mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):3uA
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.2915
12204
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.3448
6060
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.379
3803
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):360 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)