PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.1232
27279
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SMB(DO-214AA)
¥0.12096
16238
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@40V
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.15064
5250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
MDD(辰达行)
DO-15
¥0.1573
22332
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.17056
13825
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.1903
164627
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1608-2
¥0.495
40067
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.2236
284296
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2288
7625
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SC-76,SOD-323
¥0.2627
19370
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-323HE
¥0.1384
39939
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.3276
27220
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.347
1667
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):1mA@40V
DIODES(美台)
SMC(DO-214AB)
¥0.676
28025
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-79,SOD-523
¥0.833
10385
二极管类型:肖特基 - 单,电压 - 峰值反向(最大值):3V,电流 - 最大值:100 mA,不同 Vr、F 时电容:0.85pF @ 0.2V,1MHz,功率耗散(最大值):100 mW
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB-3
¥1.056
742
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@30A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:30A
华轩阳
SOD-323
¥0.0288
40250
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04275
8597
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
晶导微电子
SOD-123
¥0.0385
997750
正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@20V
YANGJIE(扬杰)
SOT-23(TO-236)
¥0.05304
18336
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0688
7871
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):220mV@0.1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.08736
16819
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.1026
14280
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A
KEXIN(科信)
DO-214AC(SMA)
¥0.1061
3950
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.1089
9317
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.112575
6500
正向压降(Vf):850mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):20uA@60V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.1627
8270
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.165
5228
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.1566
1150
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200uA@40V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.185
23631
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
SOD-523
¥0.185
76362
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Nexperia(安世)
SC-79,SOD-523
¥0.2174
9952
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.36684
8850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.366
92145
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.362
56389
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.3276
121312
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.529
57847
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.56106
4657
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):520mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.505
55497
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):520mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 400 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.7904
12975
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
TO-277
¥1.04
7445
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
TO-252-2(DPAK)
¥1.21
76793
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
TO-220AC-2
¥1.7548
42363
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 µA @ 200 V
YFW(佑风微)
TO-263
¥2.2
3214
正向压降(Vf):480mV@20A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:40A,反向电流(Ir):75uA@60V
onsemi(安森美)
TO-252-2(DPAK)
¥1.6335
9900
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-123
¥0.044
854067
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:500mA
TWGMC(台湾迪嘉)
SOT-323
¥0.0572
15750
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
KEXIN(科信)
SOD-323
¥0.0583
0
正向压降(Vf):900mV@3.1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
BORN(伯恩半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.07208
10460
正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.0736
27400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A