ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6611
43090
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
0603
¥1.33
5393
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-277-3
¥3.78
6008
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SOT-23
¥0.0371
15020
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.044
2000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMA(DO-214AC)
¥0.04638
21018
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.06916
7980
正向压降(Vf):600mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0689
30257
正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA,反向电流(Ir):500nA@30V
FOSAN(富信)
SMB
¥0.0798
32262
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.0938
2729
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.0786
8490
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.10712
17011
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMB
¥0.115615
2820
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
UMW(友台半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.12
3528
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@60V
MSKSEMI(美森科)
SOD-123FL
¥0.11704
2490
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.134
103654
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
Tokmas(托克马斯)
DO-214AA
¥0.1744
5520
正向压降(Vf):630mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.16454
49887
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:2A
晶导微电子
SMAF
¥0.22
3722
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
晶导微电子
SMA
¥0.2466
15800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
ST(意法半导体)
0201
¥0.165
23523
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):300mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.2537
101669
二极管配置:2 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.273
50206
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.296
29358
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):150mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.264
22272
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMB
¥0.36366
1765
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.412
22102
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.29016
3212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.4815
67342
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.6666
990
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.4888
66783
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.5817
40708
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-277
¥0.4992
9713
正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@100V
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.75
13980
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2
¥0.5242
17642
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):830mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥0.646
16287
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):430mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.787455
2296
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):760mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
FUXINSEMI(富芯森美)
TO-277B
¥1.17
5426
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):470mV@20A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.56
25788
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 7 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
CFP-15
¥1.45516
29447
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Hottech(合科泰)
SOT-23
¥0.0258
30810
正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.03682
17980
正向压降(Vf):1V@15mA,直流反向耐压(Vr):70V,整流电流:70mA,反向电流(Ir):100nA@50V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04029
7400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
JSMSEMI(杰盛微)
SOD-123
¥0.042226
12305
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):390mV@500mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:380mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.04329
9450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
LRC(乐山无线电)
SOT-323-3
¥0.0502
525195
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.05376
19580
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.072
106330
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.06614
114270
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):20uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.09291
5980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA