VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.18
342292
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.199
10609
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB(DO-214AA)
¥0.23392
12865
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):840mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.258311
24384
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 200 mA
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.18
24150
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
DIODES(美台)
SOD-323
¥0.278
13335
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.4
10009
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
SMA(DO-214AC)
¥0.4346
6165
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.624
6096
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
POWERDI®123
¥0.88
27472
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
DO-214AB(SMC)
¥0.9224
950
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SC-70,SOT-323
¥1.09
131153
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:110 mA,不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):100 mW
YANGJIE(扬杰)
TO-263
¥1.2
12540
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
TO-277-3
¥3.7719
6970
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):440 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-247
¥4.4
1966
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:60A
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0278
301840
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MDD(辰达行)
SOT-23
¥0.0339
683975
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FOSAN(富信)
SMA
¥0.03359
71684
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):200uA@40V
华轩阳
SOD-123FL
¥0.041385
6200
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOT-23
¥0.04056
35246
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.04118
1825575
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):400mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0446
10420
正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):200nA@30V
GOODWORK(固得沃克)
SOD-123FL
¥0.0549
10830
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0567
8450
正向压降(Vf):850mV@2.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0576
2007858
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0627
682430
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOT-323(SC-70)
¥0.0507
90593
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BLUE ROCKET(蓝箭)
SMA
¥0.07342
34134
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
WILLSEMI(韦尔)
SOD-123
¥0.094
262782
正向压降(Vf):570mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@40V
YFW(佑风微)
SMB
¥0.106875
3310
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.108
4955
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
TECH PUBLIC(台舟)
SMA(DO-214AC)
¥0.13936
41779
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@40V
SMC(桑德斯)
SOD-123FL
¥0.1389
11646
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
DFN1006-2
¥0.141904
430457
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
0201
¥0.0913
19610
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:30mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363-6
¥0.156
60656
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA@25V
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.17442
8650
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):380mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.18
530852
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TOSHIBA(东芝)
SOD-323
¥0.2653
3508
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.2757
3735
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.2449
25304
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.199
29425
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.285
77767
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMBF
¥0.33
144252
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@100V
Nexperia(安世)
SOD-323F
¥0.367436
31108
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JUXING(钜兴)
TO-252
¥0.434435
13825
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.431
21024
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.4704
3203
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6042
14087
正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.7504
25155
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A