YFW(佑风微)
TO-277
¥1.4
9338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):570mV,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
TO-277A
¥2.8184
13243
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):6.4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 25 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOD-323
¥0.033
8881
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A
晶导微电子
SOD-323HE
¥0.0504
302
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
WILLSEMI(韦尔)
SOD-523
¥0.08185
6125
正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):30uA@10V
LRC(乐山无线电)
SOD-923
¥0.065043
657376
正向压降(Vf):450mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):500nA
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥0.0648
233427
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.09048
112095
正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A,工作结温范围:-55℃~+150℃
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.0899
321959
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.13554
15040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.38
53504
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
onsemi(安森美)
DO-216AA
¥0.564
36138
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
DO-214AB(SMC)
¥0.645234
2920
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 40 V
VISHAY(威世)
TO-277A
¥0.676
78504
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):880 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMC(DO-214AB)
¥0.68
142452
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.9568
40702
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Tokmas(托克马斯)
TO-220
¥1.0016
531
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):3.2V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
MICROCHIP(美国微芯)
DO-214BA
¥5.18
284
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):15 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):220 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CBI(创基)
SOD-323
¥0.0231
35599
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@500mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
SHIKUES(时科)
SOD-323
¥0.03325
14200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:300mA
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.04092
273335
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0471
26520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:350mA
MSKSEMI(美森科)
SOD-123
¥0.050445
4882
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.0756
24783
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
SOT-23
¥0.0669
750
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):600mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.0837
30739
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@50mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
BORN(伯恩半导体)
SOD-123
¥0.069
56871
正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
YANGJIE(扬杰)
SOD-323(SC-90)
¥0.0676
32949
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.08136
20140
正向压降(Vf):850mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@60V
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.095
159695
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
MCC(美微科)
SC-76,SOD-323
¥0.1
25313
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMAF
¥0.1147
26338
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.11409
114257
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.1562
958008
正向压降(Vf):700mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@60V
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.22
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.3328
10007
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 50 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.27352
16991
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.327
299533
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMC(DO-214AB)
¥0.3991
9707
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@8A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
SOD-523
¥0.491
4422
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMA(DO-214AC)
¥0.2926
3720
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.89544
50507
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.94
121376
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SOD-323
¥0.022
50128
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):5uA@30V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):13A
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-323
¥0.07956
10054
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):370mV@1mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:30mA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.07137
11451
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):875mV@3A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
SOD-123FL
¥0.051015
88392
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0793
123349
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
TECH PUBLIC(台舟)
SOD-723
¥0.0885
12720
正向压降(Vf):350mV@10mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):10uA@10V
FUXINSEMI(富芯森美)
SMAF(DO-214AD)
¥0.091
2300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A