MCC(美微科)
SOD-323
¥0.0587
11740
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.05502
13118
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):50A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06228
44605
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.0699
29916
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-323
¥0.0713
11340
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):100uA@60V
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.09942
113055
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1.5A
MDD(辰达行)
SOD-123
¥0.106
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.105
245038
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
晶导微电子
SOD-123FL
¥0.1288
256351
正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@200V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.1248
16401
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SOD-123FL
¥0.13832
66942
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.19552
236040
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123F
¥0.2133
93514
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.2112
17422
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.2305
76439
正向压降(Vf):550mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):30mA
Nexperia(安世)
SOT-883
¥0.235128
7485
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
LGE(鲁光)
SMC
¥0.2412
6965
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOD-123
¥0.235
29134
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.25584
13216
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-923
¥0.205
18912
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.17
38633
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-252
¥0.42264
4810
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-1289
¥1.0349
6068
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 6 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-216AA
¥0.537
16911
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥1.0925
6114
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
GOODWORK(固得沃克)
SOT-23
¥0.02818
81002
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@0.2A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.02464
90687
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
GOODWORK(固得沃克)
SOD-523
¥0.03456
114550
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0407
2200
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA
MCC(美微科)
SOD-323
¥0.04
12695
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):350mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SHIKUES(时科)
SOD-123
¥0.0498
65135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):450mV@15mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
MCC(美微科)
SOD-523
¥0.055
21352
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123
¥0.07862
126701
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):21V,整流电流:100mA,反向电流(Ir):2uA@25V
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.06448
32161
正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0671
147089
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A,反向电流(Ir):100uA@40V
BORN(伯恩半导体)
SOD-323
¥0.0684
18696
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):9A
BLUE ROCKET(蓝箭)
DO-214AD
¥0.068992
1520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.154
616162
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.163
115267
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.1888
244665
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.2394
92628
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-323
¥0.18
171274
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):710 mV @ 200 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.138
44825
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.2669
55630
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.276
173452
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-219AB
¥0.295
206539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
华轩阳
SMC
¥0.402688
6425
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V
ST(意法半导体)
SMC(DO-214AB)
¥1.06
3681
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.05
18540
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:15A
SMC(桑德斯)
TO-277B
¥1.28
3581
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)