onsemi(安森美)
TO-252-2(DPAK)
¥1.8
35855
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
SOD-323
¥0.01818
604718
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,反向电流(Ir):5uA@30V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):2A
CBI(创基)
SOT-23
¥0.0269
22849
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.03609
188000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
华轩阳
SMA
¥0.061688
7160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:2A
DIODES(美台)
X1-DFN1006-2
¥0.076
73005
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0686
53814
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-323
¥0.072
93520
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.08112
178930
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
Nexperia(安世)
SOD-523
¥0.097873
29557
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):120mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SOD-123F
¥0.08923
183937
正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):300uA@100V
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.088734
39225
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.12584
114703
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
FUXINSEMI(富芯森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.1378
9440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
MDD(辰达行)
SMB(DO-214AA)
¥0.14841
70286
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
ST(意法半导体)
SOD-123
¥0.2
38210
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
FUXINSEMI(富芯森美)
SMC(DO-214AB)
¥0.21816
95553
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):630mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
Comchip(典琦)
SOD-523F
¥0.23
3100
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):350 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMB
¥0.22672
190465
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A,反向电流(Ir):300uA@150V
Infineon(英飞凌)
SOD-323
¥0.7257
1908
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥1.0094
1311
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-201AD
¥1.78
412
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.03458
59607
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1V@40mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:200mA
KUU(永裕泰)
SOD-323
¥0.0429
317200
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A
KEXIN(科信)
SOD-123FL
¥0.055
2950
正向压降(Vf):900mV@3.1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):25A
YANGJIE(扬杰)
SMA-W
¥0.07571
16385
正向压降(Vf):550mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@40V
Hottech(合科泰)
SMAF
¥0.08133
19127
正向压降(Vf):550mV@3A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.07992
31040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
LRC(乐山无线电)
SOD-323
¥0.0528
259312
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:350mA,反向电流(Ir):1uA
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-523
¥0.0836
85527
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@250mA,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:150mA
DIODES(美台)
SOT-323-3
¥0.0888
142464
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.1144
31223
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.14
34539
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.165
36540
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1976
20445
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SOT-323
¥0.2841
14630
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):300mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 100 mA
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.3848
7077
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.316
18713
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
晶导微电子
SMC
¥0.298
24711
正向压降(Vf):700mV@8A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:8A,反向电流(Ir):1mA@60V
ST(意法半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.364
41921
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BORN(伯恩半导体)
SMC
¥0.424
14262
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.531
38212
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.5655
35745
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-277
¥1.1414
25755
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:15A
JSMSEMI(杰盛微)
SOT-23
¥0.022515
14900
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.02896
10200
正向压降(Vf):1V@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):2uA
MDD(辰达行)
SOD-523
¥0.0443
21342
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0486
18500
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
BORN(伯恩半导体)
SOD-523
¥0.0446
28946
正向压降(Vf):600mV@200mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA,反向电流(Ir):1uA@10V
Slkor(萨科微)
SMA(DO-214AC)
¥0.04797
28376
正向压降(Vf):700mV@2A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@60V