LGE(鲁光)
ITO-220AB-3
¥0.7573
25
二极管配置:2对共阴极,正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.6521
17004
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):750mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 750 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.743755
35
正向压降(Vf):680mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1uA
晶导微电子
TO-252
¥0.9354
470
正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@100V
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.784
0
正向压降(Vf):620mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):3mA@100V
PANJIT(强茂)
SMC(DO-214AB)
¥0.7635
2
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,工作结温范围:-65℃~+175℃,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):100A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.7648
4674
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥0.74685
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.754395
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):480mV,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.6965
9988
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):690 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220F
¥0.7848
25
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):680mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
停产
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥0.791
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.7923
3157
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DOWO(东沃)
TO-263-2L
¥0.8505
800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
DOWO(东沃)
TO-263-2L
¥0.8176
800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-277
¥0.79344
805
正向压降(Vf):750mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A,反向电流(Ir):200uA@100V
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.8232
0
正向压降(Vf):620mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):3mA@100V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥1.448
152
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
MDD(辰达行)
TO-220AB-3
¥0.8576
2
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
晶导微电子
TO-263
¥0.8094
505
Nexperia(安世)
HUSON-3(2x2)
¥0.798
6088
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 1 A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.67104
775
正向压降(Vf):480mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):11mA@60V
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.8196
0
正向压降(Vf):770mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):450nA@100V
onsemi(安森美)
0402(1006 公制)
¥0.8291
2052
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SILAN(士兰微)
TO-220-3L
¥0.8314
95
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):710mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.832
2048
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.5093
6070
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.9547
705
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥0.836
0
正向压降(Vf):780mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥0.8388
10
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.8477
6019
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
CP-3
¥0.727664
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 700 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.938
1366
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220
¥0.90171
125
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@30A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A
VISHAY(威世)
DO-219AB(SMF)
¥1.0214
5
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.24 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AC
¥0.85234
260
正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@45V
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.8532
3815
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-220AB
¥0.9951
1000
正向压降(Vf):750mV@15A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A,反向电流(Ir):100uA@60V
Nexperia(安世)
SOD-123W
¥0.47008
5635
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
TO-220-3
¥0.8193
2379
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥1.5045
112
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA
¥0.8675
2514
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
Comchip(典琦)
SOD-923F
¥0.8758
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-220F
¥0.8767
400
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):990mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOT-323
¥0.9944
720
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):80mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):590 mV @ 40 mA
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥1.0143
2869
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.8886
3087
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):680 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
UTC(友顺)
TO-252-2(DPAK)
¥0.8899
1
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@100V
ST(意法半导体)
DO-222AA
¥1.2241
190
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):770 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-220AB-3
¥0.8953
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:10A