CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.2494
2430
正向压降(Vf):860mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A,反向电流(Ir):100uA@100V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.0735
40
正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A,反向电流(Ir):1uA@150V
ST(意法半导体)
DO-201AD
¥1.3975
43
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.4278
6063
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):560 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
ITO-220
¥1.26
91
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):680mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥1.26
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥1.22
2
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PUOLOP(迪浦)
TO-220
¥1.2622
3
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@15A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
SILAN(士兰微)
TO-220F-3
¥1.2687
25
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@100V
Nexperia(安世)
TO-277
¥1.2757
158
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.36
655
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 10 A
Nexperia(安世)
DFN2020D-3
¥2.01
30
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):575 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.2892
645
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.4757
4723
正向压降(Vf):870mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):3uA@100V
ST(意法半导体)
DO-221AC
¥0.490346
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
X2-WLB2010-2
¥1.27116
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):400 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.31
287
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.8
2904
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):400mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):310 mV @ 100 mA
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥1.32
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):580 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220AB-3
¥1.51
2822
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 15 A
SMC(桑德斯)
TO-247AD
¥1.0584
19
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
ST(意法半导体)
SMAflAtNotch
¥1.3248
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):170 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):820 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SOD-323F
¥1.33
13
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.3305
3
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):830mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.5045
1441
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 µA @ 30 V
PANJIT(强茂)
TO-220
¥1.339
186
正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
MCC(美微科)
TO-277-3
¥1.35
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.6415
2082
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):200V,反向电流(Ir):500uA@200V
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.1648
1985
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥1.36
0
正向压降(Vf):850mV@2A,直流反向耐压(Vr):80V,整流电流:2A,反向电流(Ir):100uA@80V
Slkor(萨科微)
TO-252
¥1.17
970
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):510mV@8A,直流反向耐压(Vr):35V,整流电流:8A
VISHAY(威世)
SMPA(DO-221BC)
¥1.4976
1288
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥1.37
576
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):720 mV @ 10 A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.37
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):450mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.5428
2247
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):810 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-220F-3
¥1.372
5
正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):50uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.38
0
二极管配置:1对共阴极,直流反向耐压(Vr):45V,反向电流(Ir):100uA@45V
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.73
64
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV@20A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220
¥1.0649
1
正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT1289
¥1.4
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥1.4
5355
正向压降(Vf):790mV@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@100V
晶导微电子
TO-252-2(DPAK)
¥1.4062
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥1.41
20
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
DO-214AC
¥2.0603
124
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):640 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-252-2(DPAK)
¥1.569
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):7.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 7.5 A
Kyocera(京瓷)/AVX
DO-214AC
¥1.96
4
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOT-23
¥1.42
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@100mA,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:200mA
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.4214
213
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.3774
50
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.432
75
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 10 A