YFW(佑风微)
DO-27
¥0.35016
475
正向压降(Vf):780mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5mA@100V
DIOTEC(德欧泰克)
SMC(DO-214AB)
¥0.4636
57
直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
SMB
¥0.4581
0
正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,工作结温范围:-55℃~+150℃
YFW(佑风微)
TO-252
¥0.3584
965
正向压降(Vf):720mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA
ROHM(罗姆)
TO-236-3(SOT-23-3)
¥0.7473
6705
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 100 mA
晶导微电子
TO-252W
¥0.4378
1915
正向压降(Vf):650mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
MDD(辰达行)
SMB
¥0.4378
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV@5A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
Infineon(英飞凌)
SC-82A,SOT-343
¥0.4391
0
二极管配置:2 个独立式,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
KEC(开益禧)
SOT-23
¥0.4784
25
正向压降(Vf):550mV@500mA,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:500mA,反向电流(Ir):20uA@25V
DIODES(美台)
X3-WLB1006-2
¥0.45
11368
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):430 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOT-323
¥0.343
5
二极管配置:1 对串联,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥0.436
40094
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.452
1365
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.452
15000
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.4625
6306
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.4538
1877
二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极,电压 - 峰值反向(最大值):7V,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,功率耗散(最大值):225 mW,工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
GOODWORK(固得沃克)
TO-220AB
¥0.29345
180
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
SMC(桑德斯)
SMB(DO-214AA)
¥0.4582
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 150 V
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥0.4592
13291
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):765 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.426202
3110
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):445 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.4784
9827
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.4605
6000
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:30 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,工作温度:100°C(TJ)
PANJIT(强茂)
DO-214AB(SMC)
¥0.462
7924
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOT-143-4
¥0.4626
21
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):120mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 40 mA
Nexperia(安世)
SOD-323
¥0.141
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥0.432
98
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):780mV@10A,直流反向耐压(Vr):120V,整流电流:20A
DIODES(美台)
SMA
¥0.46
34459
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AB,SMC
¥0.3306
0
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
SMBF
¥0.4709
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Comchip(典琦)
SOD-123S
¥0.5314
5990
正向压降(Vf):400mV@1A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1mA@40V
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.462
0
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.53181
340
正向压降(Vf):420mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A,反向电流(Ir):200nA
DIODES(美台)
SC-75(SOT-523)
¥0.48
7910
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):70mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SC-70-6(SOT-363)
¥0.458
18135
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 100 mA
晶导微电子
TO-252
¥0.50544
698
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A
Hottech(合科泰)
SMC(DO-214AB)
¥0.482695
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.4973
0
正向压降(Vf):790mV,直流反向耐压(Vr):200V,反向电流(Ir):2uA
ROHM(罗姆)
SC-75,SOT-416
¥0.486
2491
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):5V,电流 - 最大值:10 mA,不同 Vr、F 时电容:0.8pF @ 1V,1MHz,工作温度:125°C(TJ)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.475665
1015
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
SMC(桑德斯)
TO-220AB-3
¥1.55
200
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 5 A
VISHAY(威世)
DO-220AA
¥0.4954
23027
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Infineon(英飞凌)
SOD-323-2
¥0.51896
794
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):410mV@1A,直流反向耐压(Vr):30V,整流电流:1A
SMC(桑德斯)
DO-201AD
¥0.5805
1250
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 60 V
DIODES(美台)
SOT-523
¥0.5
9044
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):370 mV @ 1 mA
DIODES(美台)
SMA
¥0.477
17545
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SOD-123
¥0.5022
950
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-923
¥0.5041
4624
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):100mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
VISHAY(威世)
SMF (DO-219AB)
¥0.5151
550
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.5753
39
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.5408
8999
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)