MDD(辰达行)
TO-220AB
¥1.0812
108
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
onsemi(安森美)
SMB(DO-214AA)
¥1.02025
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SILAN(士兰微)
TO-220F-3
¥1.089
1037
正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥1.089
93
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.48
1001
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
DO-214AB,SMC
¥0.8889
0
技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AC
¥1.095
9
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-214AB(SMC)
¥1.092
8685
正向压降(Vf):860mV@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):100uA@200V
Comchip(典琦)
SOD-123
¥1.1
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@500uA,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:500mA
LGE(鲁光)
TO-220AB
¥1.1016
55
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:30A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.1035
250
正向压降(Vf):700mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A,反向电流(Ir):50uA@45V
PUOLOP(迪浦)
TO-220
¥1.1066
50
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
TO-252
¥1.15
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.111
129
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A,反向电流(Ir):50uA@200V
VISHAY(威世)
DO-221AD
¥1.22
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):1.8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SILAN(士兰微)
TO-252-2
¥1.1174
5
正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
SMB
¥2.8016
5
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
TO-236-3
¥1.1327
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 100 mA
SILAN(士兰微)
TO-220F
¥1.1386
310
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@10A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A
Comchip(典琦)
DO-214AB
¥1.112
2990
正向压降(Vf):700mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A,工作结温范围:-55℃~+125℃
Nexperia(安世)
SOD-323
¥1.1058
220
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.1463
460
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@45V
停产
MCC(美微科)
SOD-323HE
¥1.1492
0
安装类型:表面贴装型,封装/外壳:SC-90,SOD-323F
ROHM(罗姆)
PMDTM
¥1.15
29960
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):560mV@3A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥1.05
636
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):700mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
TO-252
¥1.01934
35
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
DIODES(美台)
PowerDI323
¥1.43
2837
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
ROHM(罗姆)
SOD-523
¥1.2583
543
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):540 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.3338
40
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):840mV@15A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
TOREX(特瑞仕)
SOD-523
¥0.283
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):470 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PUOLOP(迪浦)
TO-220
¥1.1798
25
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):810mV@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB
¥1.6168
35
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 10 A
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.48
272
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 10 A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-1
¥1.19
2000
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥1.19
1
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(意法半导体)
DPAK
¥1.2
1704
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 3 A
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥2
445
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-252-2
¥0.8601
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
ROHM(罗姆)
SOD-123F
¥2.1465
225
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥1.2081
115
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-220AB-3
¥1.2133
18
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 5 A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB
¥1.4
0
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥1.2231
200
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
PANJIT(强茂)
TO-277
¥1.24
4512
PANJIT(强茂)
TO-220AB
¥1.24
1960
正向压降(Vf):750mV@3A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1.5uA@150V
VISHAY(威世)
DO-220AA(SMP)
¥1.9003
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):760 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FA
¥1.2431
15039
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
SOT-563,SOT-666
¥0.8743
85
二极管配置:3 个独立式,技术:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):70 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):70mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥1.2446
75
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
BLUE ROCKET(蓝箭)
TO-220
¥1.3013
125
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):950mV@20A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:20A